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HAMAMATSU 滨松 H16201-50 光电倍增管模块
详细参数
| 参数 | 说明/值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 输入电压 | +11.5 至 +15.5 | V | ||
| 最大输入电压 | +18 | V | ||
| 最大输入电流 *1 | 12 | mA | ||
| 最大输出信号电流 | 40 | μA | ||
| 最大控制电压 | +0.9（输入阻抗 30kΩ） | V | ||
| 建议的控制电压调节范围 | +0.5 至 +0.8 | V | ||
| 有效面积 | 直径 5 | mm | ||
| 光谱灵敏度特性 | 380 至 900 | nm | ||
| 峰值量子效率波长 | 630 | nm | ||
| [Cathode] 量子效率 | 处于峰值量子效率波长时 | 最小 | 14 | % |
| 典型值 | 19 号 | % | ||
| 在 800 nm 处 | 最小 | 11 | % | |
| 典型值 | 15 | % | ||
| [Cathode] 辐射灵敏度 | 处于峰值量子效率波长时 | 最小 | 70 | mA/W |
| 典型值 | 95 | mA/W | ||
| 在 800 nm 处 | 最小 | 71 | mA/W | |
| 典型值 | 97 | mA/W | ||
| [Anode] 辐射灵敏度 *2 | 处于峰值量子效率波长时 | 最小 | 4.2 × 104 | A/W |
| 典型值 | 9.5 × 104 | A/W | ||
| 在 800 nm 处 | 最小 | 4.3 × 104 | A/W | |
| 典型值 | 9.7 × 104 | A/W | ||
| [Anode] 暗电流 *2 *3 | 典型值 | 4 | ns | |
| 最大值 | 12 | ns | ||
| [Anode] 增益率 *2 | 最小 | 6.0 × 105 | - | |
| 典型值 | 1.0 × 106 | - | ||
| 上升时间 *2 | 典型值 | 1.0 | ns | |
| 波纹噪声（峰间）*2 *4 | 最大值 | 0.6 | mV | |
| 建立时间 *5 | 典型值 | 0.2 | s | |
| 工作环境温度 *6 | +5 至 +35 | °C | ||
| 储存温度 *6 | -20 至 +50 | °C | ||
| 重量 | 100 | g | ||
备注
*1 输入电压 = +15.0 V，控制电压 = +0.8 V，在保护电路刚刚结束工作之后的黑暗条件下。
*2 控制电压 = +0.8 V
*3 避光存储 30 分钟后
*4 负载电阻 = 1 MΩ，负载电容 = 22 pF
*5 在控制电压从 +0.9 V 变为 +0.5 V 后，输出达到稳定水平所需的时间。
*6 无冷凝
外形尺寸图（单位：mm）
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