HAMAMATSU    滨松    S11142-10    硅光电二极管阵列
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HAMAMATSU 滨松 S11142-10 硅光电二极管阵列

HAMAMATSU 滨松 S11142-10 硅光电二极管阵列
高灵敏度,直接检测低能量(1 keV 或以上)电子束

HAMAMATSU    滨松    S11142-10    硅光电二极管阵列

详细参数

受光面14 x 14 mm
像元数4
封装陶瓷
入射电子能范围(典型值)1 至 30 keV
电子倍增系数(典型值)300
反向电压(最大值)20 V
暗电流(最大值)60000 pA
截止频率(典型值)5 MHz
结电容(典型值)200 pF
测量条件Ta = 25°C,VR = 5V

外形尺寸图(单位:mm)


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