HAMAMATSU 滨松 S11142-10 硅光电二极管阵列
详细参数
| 受光面 | 14 x 14 mm |
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| 像元数 | 4 |
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| 封装 | 陶瓷 |
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| 入射电子能范围(典型值) | 1 至 30 keV |
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| 电子倍增系数(典型值) | 300 |
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| 反向电压(最大值) | 20 V |
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| 暗电流(最大值) | 60000 pA |
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| 截止频率(典型值) | 5 MHz |
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| 结电容(典型值) | 200 pF |
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| 测量条件 | Ta = 25°C,VR = 5V |
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外形尺寸图(单位:mm)

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