HAMAMATSU    滨松    S11212-021   硅光电二极管阵列
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HAMAMATSU 滨松 S11212-021 硅光电二极管阵列

HAMAMATSU 滨松 S11212-021 硅光电二极管阵列
适用于 X 射线非破坏性检测的背照式光电二极管阵列

HAMAMATSU    滨松    S11212-021   硅光电二极管阵列

详细参数

像元尺寸(每个像元)1.175 × 2.0 mm
像元数16
封装玻璃环氧树脂
封装类别未密封
闪烁体类型
制冷非冷却型
反向电压(最大值)10 V
灵敏度波长范围340 至 1100 nm
最大灵敏度波长(典型值)920 nm
感光灵敏度(典型值)0.61 A/W
暗电流(最大值)30 pA
上升时间(典型值)6.5 μs
结电容(典型值)40 pF
备注本光电二极管阵列本身不用作 X 射线探测器。应在用户侧添加适当的闪烁体或磷光片。
测量条件Ta = 25°C,每个像元,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR=10 mV,上升时间:VR = 0 V,结电容:VR = 0 V

外形尺寸图(单位:mm)

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