HAMAMATSU    滨松    S12858-324    硅光电二极管阵列
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HAMAMATSU 滨松 S12858-324 硅光电二极管阵列

HAMAMATSU 滨松 S12858-324 硅光电二极管阵列
适用于 X 射线非破坏性检测的背照式光电二极管阵列(像元间距:1.17 mm)

HAMAMATSU    滨松    S12858-324    硅光电二极管阵列

详细参数

像元尺寸(每个像元)0.77 × 2.5 mm
像元数16
封装玻璃环氧树脂
封装类别带闪烁体
闪烁体类型GOS 陶瓷
制冷非冷却型
暗电流(最大值)30 pA
上升时间(典型值)6.5 μs
结电容(典型值)30 pF
测量条件Ta = 25°C,每个像元

外形尺寸图(单位:mm)

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