HAMAMATSU    滨松    S8558   硅光电二极管阵列
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HAMAMATSU 滨松 S8558 硅光电二极管阵列

HAMAMATSU 滨松 S8558 硅光电二极管阵列
表面贴装 16 像元光电二极管阵列

HAMAMATSU    滨松    S8558   硅光电二极管阵列

详细参数

像元尺寸(每个像元)0.7 × 2.0 mm
像元数16
封装陶瓷
封装类别表面贴装
闪烁体类型
制冷非冷却型
反向电压(最大值)30 V
灵敏度波长范围320 至 1100 nm
最大灵敏度波长(典型值)960 nm
感光灵敏度(典型值)0.72 A/W
暗电流(最大值)1000 pA
结电容(典型值)5 pF
测量条件典型值 Ta = 25°C,除非另有说明
每个像元,感光灵敏度:λ = λp,暗电流:VR = 10 V,结电容:VR = 10 V,f = 1 MHz

光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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